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2SJ200	丝印代码：J200；P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200	丝印代码：J200；TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200-Y	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200	丝印代码：J200；High Power Amplifier Application 文件：426.58 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

ERX-2SJ200供应商更多...

更新时间：2026-3-16 14:22:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	2SJ200	TOSHIBA 光耦集成电路	Original 元件	原厂原封	10050	TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2SJ201	TOSHIBA	23+	TO-92	1500	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ200	TOSHIBA/东芝	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价
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ERT-JZEG103FA NTC 热敏电阻器 10k 0201（0603 公制）
ERT-JZEG103FA
2023-3-28
ERT-J1VR103J NTC 热敏电阻器 10k 0603（1608 公制）
ERT-J1VR103J
2023-3-28
ES2DB 原装正品
JINGDAO/晶导微现货100K
2022-7-6
ES2B-13-F快恢复二极管
ES2B-13-F 快恢复二极管
2019-12-7
ERNI硬公制连接器973046原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-11-27
ES03MAVBE-密封微型滑动开关
ES03MAVBE：密封微型滑动开关应用 •计算机外围设备及网络产品 •测试与测量设备 •电话电缆调制解调器特点/优势 •过程兼容内部 O形圈和环氧基密封 •通孔和表面贴装模型 •可靠的接触设计，确保电气寿命长 •强大的执行机构，便于驱动 •符合RoHS标准规格触点容量：0.4 VA最大。 @20 V AC或DC最大。
2012-11-8