| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EPC2219 | 65 V, 0.5 A增强型功率晶体管 • 超高效率\n• 超低 QG\n• 超小外形尺寸; | EPC |   | |
EPC2219 | EPC2219 ??Enhancement Mode Power Transistor with Integrated Reverse Gate Clamp Diode 文件：1.31382 Mbytes Page：6 Pages | EPC-CO | | |
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METAL GATE RF SILICON FET 文件：16.25 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | |
EPC2219产品属性
- 类型
描述
- 配置：
带栅极二极管的单路、AEC认证
- VDS最大值：
65
- VGS最大值：
5.75
- RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS：
3300
- QG(nC)典型值：
0.049
- QGS(nC)典型值：
0.023
- QGD(nC)典型值：
0.0037
- QOSS(nC)典型值：
0.114
- ID (A)：
0.5
- 脉冲电流 ID (A)：
0.5
- 封装(mm)：
BGA 0.9 x 0.9
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EPC |
20+ |
Die |
2500 |
||||
EPC |
25+ |
2300 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
||||
26+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
EPC2219规格书下载地址
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