EPC2111 30VeGaN?晶体管半桥
EPC的EPC2111增强型GaN功率晶体管半桥提高了效率和功率密度
EPC的EPC2111 30VeGaN?晶体管半桥图片EPC的 30 V eGaN半桥EPC2111将两个eGaN功率FET集成到一个器件中，提高了效率和功率密度，同时降低了最终用户电源转换系统的组装成本。EPC2111采用芯片级封装，可提高开关速度和散热性能，仅为3.5 mm x 1.5 mm，可提高功率密度。该设备的主要应用是笔记本电脑和平板电脑计算。GaN的高频能力减小了功率转换所需的尺寸，因此将大大减小下一代移动计算的尺寸。
特征
高频能力
单片集成消除了互连电感，从而在更高频率下实现更高的效率
高效率
降低传导和开关损耗，零反向恢复损耗
占地面积小
低电感，极小，3.5 mm x 1.55 mm BGA表面贴装钝化芯片
应用
高频DC / DC电源转换
笔记本和平板计算
