FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 1.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
118 pF @ 7.5 V
FET 功能
标准
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具