EPC2010价格

参考价格:¥38.7933

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Enhancement Mode Power Transistor

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EPC-CO

增强型功率晶体管

EPC

Snap Bushings

文件:133.28 Kbytes Page:1 Pages

HEYCO

Basic Contact Probe

文件:101.69 Kbytes Page:1 Pages

FEINMETALL

10 Watt - 28 Volts, Class C Microwave 2000 MHz

文件:277.73 Kbytes Page:3 Pages

GHZTECH

Type CRG Series

文件:131.66 Kbytes Page:3 Pages

MA-COM

SMD High Power Precision Resistors

文件:199.3 Kbytes Page:6 Pages

MACOM

EPC2010产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EPC2010

  • 功能描述

    TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    eGaN®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-13 18:44:00
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EPC
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