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MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.2 m, 237 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK8 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel

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安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 1.2 m, 237 A, Single N?묬hannel

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A

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安森美半导体

更新时间:2026-1-3 13:01:01
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