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EMB6	Complex Transistor(DTR+DTR) •分圧型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
EMB6	丝印代码：B6；General purpose (dual digital transistors) 文件：61.32 Kbytes Page：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB60A06G	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60A06S	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 5A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60B03G	Dual P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 60mΩ ID ‐5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06A	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06A	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS • DC/DC Converters • DC/AC Inverters • Motor Drives	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
EMB60N06CS	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06H	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 58mΩ ID 15A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60	丝印代码：B60；Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：700.81 Kbytes Page：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB60A06G	Power MOSFETs-Dual	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60A06S	Power MOSFETs-Dual	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60A06V	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.88 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60C06A	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor8 文件：237.69 Kbytes Page：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60C06G	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：217.78 Kbytes Page：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06C	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.07 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06J	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：171.8 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N06V	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.76 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N10A	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.65 Kbytes Page：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60N10G	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.75 Kbytes Page：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB60RP .75	包装：散装描述：3M ELECTRICAL MOISTURE BLOCK PAD 胶带，粘合剂，材料胶带	3M	3M
EMB60RP .75	包装：散装描述：3M ELECTRICAL MOISTURE BLOCK PAD 胶带，粘合剂，材料胶带	3M	3M
EMB61	丝印代码：B61；Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：786.96 Kbytes Page：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB61	Complex Digital Transistors 文件：1.04905 Mbytes Page：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB61_16	Complex Digital Transistors 文件：1.04905 Mbytes Page：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB6F	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
EMB6F	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：450 Kbytes Page：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
EMB6F	SUPER FAST SURFACE MOUNT 1.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：96.07 Kbytes Page：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
EMB6F	SUPER FAST SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：95.47 Kbytes Page：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
EMB6FU	SINGLE PHASE 1.0AMP SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：854.3 Kbytes Page：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
EMB6M	SINGLE PHASE 0.8AMP SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：2.20414 Mbytes Page：3 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
EMB6MN	SINGLE PHASE SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：1.08725 Mbytes Page：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
EMB6MU	SINGLE PHASE 1.0AMP SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：1.09502 Mbytes Page：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
EMB6S	SINGLE PHASE 0.8AMP SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：1.1759 Mbytes Page：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
EMB6S	SUPER FAST SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：95.23 Kbytes Page：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
EMB6S	SUPER FAST SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：95.1 Kbytes Page：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
EMB6S	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：275.46 Kbytes Page：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
EMB6S	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
EMB6SU	SINGLE PHASE 1.0AMP SUPER FAST GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER 文件：1.12386 Mbytes Page：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC

EMB6产品属性

类型
描述
Status：
新设计非推荐
封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Package Size[mm]：
1.6x1.6 (t=0.5)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50.0
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47.0
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47.0
Supply voltage VCC 2[V]：
-50.0
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
47.0
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47.0
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA144E / DTA144E
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更新时间：2026-5-22 20:28:00

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EM8631J
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