| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EMB60A06V | Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.88 Kbytes Page：5 Pages | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | |
EMB60A06V | Power MOSFETs-Dual | EXCELLIANCE 杰力科技 | | |
Schottky Barrier Diode FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Dual Diodes Cathode Common * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability * 40 Volts thru 60 Volts Types Available | NIEC | | ||
Schottky Barrier Diode FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability * 30 Volts thru 60 Volts Types Available | NIEC | | ||
Schottky Barrier Diode FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability * 30 Volts thru 60 Volts Types Available | NIEC | | ||
Hyperfast Recovery Rectifier 文件：1.01109 Mbytes Page：3 Pages | YENYO 元耀科技 | | ||
low recovery loss 文件：421.29 Kbytes Page：2 Pages | HY 虹扬科技 | |
EMB60A06V产品属性
- 类型
描述
- Channel：
Dual N
- BVDSS(V)：
60
- VGS(±V)：
20
- ID(A)：
6
- RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
60
- RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
- RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
85
- RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
- Qg(10V)Typ.(nC)：
13.8
- CissTyp.(pF)：
633
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMF |
2026+ |
DFN |
27061 |
原装正品 假一罚十! |
|||
EMC/杰力 |
2511 |
EDFN3X3 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
EMF |
20+ |
DFN |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
EMC |
23+ |
SOP8 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
EMC |
22+ |
DFN |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
Displaytech |
24+ |
SMD |
17900 |
显示开发工具 |
|||
ELPIDA |
2450+ |
BGA |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
EMC |
2049+ |
EDFN3X3 |
31657 |
全新 发货1-2天 |
|||
EMC/杰力 |
24+ |
DFN |
22500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
EMB60A06V规格书下载地址
EMB60A06V参数引脚图相关
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