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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
EHR4N65

消费类MOSFET

HuaYuanWei

4N65

4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFETis usually used in high speed switching applications includ

UTC

友顺

HFP4N65

650V N-Channel MOSFET

FEATURES ❐ Originative New Design ❐ Superior Avalanche Rugged Technology ❐ Robust Gate Oxide Technology ❐ Very Low Intrinsic Capacitances ❐ Excellent Switching Characteristics ❐ Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.) ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower RDS(ON) : 2.3 Ω (Typ.) @VGS=10V ❐

SEMIHOW

SW4N65

N-channel MOSFET (TO-251 , TO-252)

文件：753.03 Kbytes Page：7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SWP4N65

N-channel MOSFET (TO-220F , TO-220)

文件：775.92 Kbytes Page：7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

TFP4N65

N-Channel Power MOSFET 3.9A, 650V, 3.0廓

文件：325 Kbytes Page：8 Pages

TAK_CHEONG

德昌电子

EHR4N65产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • MOSFET Type：

    N

  • VDS(V)：

    650

  • VGS(V)：

    ±30

  • VGS(th)：

    4

  • RDS(ON) (mΩ) Max. at VGS=（10V）：

    2500

  • Ciss(pF)：

    544

  • ID(A)：

    4

  • Coss(pF)：

    55

  • Crss(pF)：

    9

  • Qg(nC)：

    15

  • Qgs(nC)：

    3

  • Qgd(nC)：

    6

  • PD(W)：

    70

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