带SD逐周功能双通道驱动芯片

EG4427 是一款高性价比、带 SD 功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 3V - 20V，静态功耗小于 1uA，输入通道 INA 以及 INB 各内建了一个 100K 下拉电阻，SD 内建了一个 100K 下拉电阻，在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出，输出电流能力 10+/-1.5/1.5A，采用 SOP8 封装。 • 适应 5V、3.3V 输入电压\n• VCC 电压范围 3V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 1.5A/1.5A\n• 输入输出延时短\n• SD 输入通道高电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 1uA，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOP8;

低压20V高速低测单通道驱动芯片

EG44273 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的 peak 拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，静态功耗小于 1uA。当 VCC = 12V 时，可提供峰值为 2A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。 • VCC 电压范围 4V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2A\n• 输入输出延时短\n• 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 1uA，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOT23 - 5\n• 无铅绿色环保，符合 ROHS 报告;

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed for amplifier, frequency multiplier, or oscillator applications in industrial equipment constructed with surface mount components. Suitable for use as output driver or pre–driver stages in VHF and UHF equipment. • Low Cost SORF Plastic Su

1.5A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS

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1.5A DUAL HIGH-SPEED, POWER MOSFET DRIVERS

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1.5A DUAL HIGH-SPEED, POWER MOSFET DRIVERS

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1.5A DUAL HIGH-SPEED, POWER MOSFET DRIVERS

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