EG211内置FG频率输出的二相无刷风扇芯片

  EG211 芯片内部集成了霍尔感应器、基准电压、前置放大器、施密特比较器以及互补集电极开路输出（DO、DOB 和FG），主要用于电子转换的二相无刷直流风扇和无刷直流马达。\n  EG211 内带集电极开路FG 频率信号输出，能检测风扇的转速来提供相应的方波信号输出。\n  当磁通密度（B）大于工作电(Bop)，DO 开启输出低电平，同时DOB 和FG 关闭输出高电平。两个输出管脚的状态会一直保持到B 低于释放点（Brp）,这时DO、DOB 和FG 改变各自的输出状态。 ·内置霍尔传感器和输出驱动\n ·较宽的电压工作范围:4.0V 至20V\n ·输出能力强：可持续接纳400mA 电流\n ·静态电流小于5mA\n ·内置FG 频率输出\n ·采用较小的TO-94 封装Ӎ;

High-power MOS transistor, IGBT transistor gate driver chip

Features ◼ High-end suspension bootstrap power supply design, withstand voltage up to 600V ◼ Integrated internal bootstrap diode,fewer peripheral devices ◼ Maximum frequency support 500KHZ ◼ Low-side VDD voltage range 3.3 V-5V ◼ Low-side VCC voltage range 10V-20V ◼ Output current capability

高压600V2A半桥驱动芯片

EG2113D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗小于 50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-2A/2A，采用 SOP16 和 SOW16 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出\n• 静态电流小于 50uA\n• 封装形式：SOW16 和 SOP16\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

MOS驱动芯片

EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-2A/2A，采用 SOP16（宽体）封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 2.8V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 5uA，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOP16 (宽体);

HIGH PERFORMANCE VOLTAGE COMPARATORS

The ability to operate from a single power supply of 5.0 V to 30 V or ±15 V split supplies, as commonly used with operational amplifiers, makes the LM211/LM311 a truly versatile comparator. Moreover, the inputs of the device can be isolated from system ground while the output can drive loads refer

Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver

Description: The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type package designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and conv

Voltage Comparator

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Voltage Comparator

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C-MOS QUAD SPST ANALOG SWITCH

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