| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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EG2113D | High-power MOS transistor, IGBT transistor gate driver chip Features ◼ High-end suspension bootstrap power supply design, withstand voltage up to 600V ◼ Integrated internal bootstrap diode,fewer peripheral devices ◼ Maximum frequency support 500KHZ ◼ Low-side VDD voltage range 3.3 V-5V ◼ Low-side VCC voltage range 10V-20V ◼ Output current capability | EGMICRO 屹晶微电子 |   | |
EG2113D | 高压600V2A半桥驱动芯片 | EGMICRO 屹晶微电子 | | |
Snap Bushings 文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages | HEYCO | | ||
Fieldbus, 12 Pr #16 Str TC, XLPO Ins, IS/OS, TPE Jkt, CMG 文件：257.079 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | | ||
High Current Toroid Inductors 文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages | BOURNS 伯恩斯 | | ||
High Current Toroid Inductors 文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages | BOURNS 伯恩斯 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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EG/屹晶微 |
25+ |
SOP16 |
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EGmicro/屹晶微 |
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SOP16W |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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EG |
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SOP8 |
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ALTERA |
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INTEL |
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QFP |
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INTEL |
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2019-3-2
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