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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -20V, -5.2A, RDS(ON) = 55mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 95mΩ @VGS = -2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface Mount Package.

CET

华瑞

AXL E PB DI8 DO4 2A M12 6M

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PHOENIXPHOENIX CONTACT

菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团

Heyco-Flex™ I Liquid Tight Conduit

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HEYCO

MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Heyco-Flex™ I Liquid Tight Conduit

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HEYCO

更新时间:2026-3-13 17:23:01
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CETSEMI
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