型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ECW-F4124RHL

封装/外壳:径向 包装:散装 描述:CAP FILM 0.12UF 3% 400VDC RADIAL 电容器 薄膜电容器

PANASONIC

松下

ECW-F4124RHL

聚丙烯膜电容(CBB)

PANASONIC

松下

NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SAMSUNG

三星

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary PNP Type Available (MMBT4126) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

TRSYS

Transys Electronics

Amplifier Transistors

Amplifier Transistor NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

24 mm Discrete HFET

24 mm Discrete HFET • 0.5 um gate finger length • Nominal Pout of 12 Watts at 2.3 GHz • Nominal PAE of 51.5 at 2.3 GHz • Nominal Gain of 10.8 dB at 2.3 GHz • Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils (0.914 x 2.057 x 0.102 mm)

TRIQUINT

Amplifier Transistor(NPN Silicon)

文件:57.14 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ECW-F4124RHL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ECW-F4124RHL

  • 功能描述

    薄膜电容器 ECWFMet Polypropyle Film Cap Radial

  • RoHS

  • 制造商

    Cornell Dubilier

  • 电介质

    Polyester

  • 电容

    0.047 uF

  • 容差

    10 %

  • 电压额定值

    100 V

  • 系列

    225P

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 85 C

  • 端接类型

    Radial

  • 引线间隔

    9.5 mm

更新时间:2026-3-16 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC/松下
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