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MMBT4124晶体管资料

MMBT4124别名：MMBT4124三极管、MMBT4124晶体管、MMBT4124晶体三极管
MMBT4124生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT4124制作材料：
MMBT4124性质：射频/高频放大（HF）_宽频带放大（A）
MMBT4124封装形式：
MMBT4124极限工作电压：
MMBT4124最大电流允许值：0.2A
MMBT4124最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT4124引脚数：
MMBT4124最大耗散功率：
MMBT4124放大倍数：
MMBT4124图片代号：NO
MMBT4124vtest：0
MMBT4124htest：999900
MMBT4124atest：0.2
MMBT4124wtest：0

MMBT4124代换 MMBT4124用什么型号代替：

MMBT4124价格

参考价格：￥0.1271

型号：MMBT4124 品牌：Fairchild 备注：这里有MMBT4124多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT4124批发/采购报价，MMBT4124行情走势销售排行榜，MMBT4124报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT4124	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT4126) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics
MMBT4124	NPN(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体
MMBT4124	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
MMBT4124	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>25V •IC=200mAHighCollectorCurrent •ComplementaryPNPType:MMBT4126 •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101St	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124	NPNGeneralPurposeAmplifier 文件：97.14 Kbytes Page：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
MMBT4124	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：79.49 Kbytes Page：3 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124	25VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：329.99 Kbytes Page：7 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB）描述：TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT4124-7	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>25V •IC=200mAHighCollectorCurrent •ComplementaryPNPType:MMBT4126 •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101St	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124LT1G	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT4124_09	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：79.49 Kbytes Page：3 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124_15	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：79.49 Kbytes Page：3 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124_16	25VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：329.99 Kbytes Page：7 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124-7-F	25VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：329.99 Kbytes Page：7 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124-7-F	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：79.49 Kbytes Page：3 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMBT4124-7-F	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装描述：TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司
MMBT4124LT1G	GeneralPurposeTransistor 文件：154.45 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT4124LT1G_16	GeneralPurposeTransistor 文件：154.45 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
4124	HighLinearityQuadMOSFETMixerforGSM800&CellularBTS ProductDescription ThePE4124isahighlinearity,passiveQuadMOSFETMixerforGSM800&CellularBaseStationReceiversandexhibitshighdynamicrangeperformanceoverabroadLOdriverangeupto20dBm.Thismixerintegratespassivematchingnetworkstoprovidesingle-endedinterface	Peregrine Peregrine Semiconductor Corp.
4124	HIGHFREQUENCYSWITCHINGTRANSISTORSFORBALLASTERS DESCRIPTION UTC4124isdesignedforspeciallyusedforelectronicballastersin110VACenvironment. FEATURES Triplediffusedtechnology. Highswitchingspeed	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
4124	POWERDIVIDERSFOUR-WAY,1TO18GHZ 文件：369.06 Kbytes Page：3 Pages	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors
4124	POWERDIVIDERS 文件：195.22 Kbytes Page：3 Pages	APITECH API Technologies Corp
4124	POWERDIVIDERS 文件：195.21 Kbytes Page：3 Pages	APITECH API Technologies Corp

MMBT4124产品属性

类型
描述
型号
MMBT4124
功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2025-7-20 18:27:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	MMBT4124-7-F	DIODES/美台	24+	NA	30000	房间原装现货特价热卖,有单详谈	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	MMBT4124-7-F	DIODES/美台	2023+	SOT-23	7728	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价
深圳兆威电子有限公司	MMBT4124LT1G	ON	23+	SOT-23	60000	原装正品现货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MMBT4124LT1G	ON/安森美	24+	SOT23	505348	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MMBT4124-7-F	DIODES INC.	25+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	MMBT4124LT1	MOTOROLA	22+	SOT-23	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	MMBT4124	ON/安森美	21+	SOT-23(SOT-23-3)	8080	只做原装,质量保证	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	MMBT4124LT1G	ON/安森美	2410+		80000	原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	MMBT4124	ST/ON	23+	SOT-23	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市一线半导体有限公司	MMBT4124LT1		24+		5000	公司存货	询价

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MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC
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MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3

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