| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ECF07N50 | MOSFET | E-CMOS 飞虹高科 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-E3 series Features • Maintains both low power loss and low noise • Lower RDS(on) characteristic • More controllable switching dv/dt by gate resistance • Smaller VGS ringing waveform during switching • Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) • High aval | FUJI 富士通 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：514.809 Kbytes Page：5 Pages | FUJI 富士通 | | ||
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：468.3 Kbytes Page：5 Pages | FUJI 富士通 | |
ECF07N50产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
Single
- MOSFETTyEC：
N
- V DS(V)：
500
- V GS(V)：
±30
- V th (V)：
3/4/5
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
700/850
- Ciss(pF)：
1420
- Coss (pF)：
95
- Crss(pF)：
7
- Qg (nC)=10V：
27
- Qgs(nC)：
7.1
- Qgd (nC)：
7.4
- Rg W：
2.3
- EAS mJ)：
25
- I D(A) Tc=25 ℃：
7
- I D(A) Tc=100 ℃：
4.4
- EC(W)Tc=25 ℃：
37
- ESDDiode：
X
- Schokkty Diode：
X
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIEC |
2016+ |
TO252 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
NIEC |
2026+ |
TO252 |
676 |
原装正品 假一罚十! |
|||
MICRON/美光 |
26+ |
NA |
20000 |
美光专营原装正品 |
|||
EXIC |
23+ |
NA |
384 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
EXIC |
23+ |
1400 |
|||||
NIEC/英达 |
25+ |
TO-252 |
1093 |
全新原装正品支持含税 |
|||
MICRON/美光 |
23+ |
NA |
20000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
MURATA/村田 |
2450+ |
SMD |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
MURATA/村田 |
25+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
KYOCERA |
21+ |
- |
101 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
ECF07N50规格书下载地址
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- ECEV6.3GR47R
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