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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
E2081606_PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Features • All in one including output matching circuit • Simple external circuit • Simple power control • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ • Lead less thin & Small package : 8.0 × 10.0 mm Typ × 1.5 mm Max • High efficiency : 55 Typ at 35.0 dBm for E-GSM | RENESAS 瑞萨 | ||
E2081606_PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone | RENESAS 瑞萨 |
E2081606_PF08127B产品属性
- 类型
描述
- 型号
E2081606_PF08127B
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IFM 易福门 |
25+ |
N/A |
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工控系列传感在售 |
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2025-11-4E101SD1CBE
E101SD1CBE
2021-11-16E104-035R
E104-035R ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
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2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本,功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高,为逻辑低之一,对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏, 低成本,低功耗,小封装,驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5
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