| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
30 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20170 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 30 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to | ERICSSON 爱立信 |   | ||
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description Dual center tap Schottky rectifier diode suited for high frequency switched mode power supplies. Features ■ High reverse voltage ■ High junction temperature capability ■ Avalanche specification with derating curves Benefits ■ Can challenge bipolar ultrafast dio | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description Dual center tap Schottky rectifier diode suited for high frequency switched mode power supplies. Features ■ High reverse voltage ■ High junction temperature capability ■ Avalanche specification with derating curves Benefits ■ Can challenge bipolar ultrafast dio | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description Dual center tap Schottky rectifier diode suited for high frequency switched mode power supplies. Features ■ High reverse voltage ■ High junction temperature capability ■ Avalanche specification with derating curves Benefits ■ Can challenge bipolar ultrafast dio | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER Description Dual center tap Schottky rectifier diode suited for high frequency switched mode power supplies. Features ■ High reverse voltage ■ High junction temperature capability ■ Avalanche specification with derating curves Benefits ■ Can challenge bipolar ultrafast dio | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-220-3 |
20000 |
公司只有正品,实单可谈 |
|||
ST/意法 |
15+ |
TO-220 |
1095 |
只做原装正品 |
|||
ST |
24+/25+ |
5000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
|||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ST |
20+ |
TO220-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
9500 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-220-3 |
6950 |
现货,原厂原装假一罚十! |
E20170规格书下载地址
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E220-400M22S 是亿佰特（EBYTE）推出的一款工作于400MHz 频段的 LoRa 无线通信模块，基于 Semtech LoRa 技术设计，聚焦远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于工业物联网、智能农业、智慧城市等场景。
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2025-11-4E22-400T30S 是由亿佰特（EBYTE）推出的一款基于LoRa 扩频技术的无线通信模块，工作于400MHz 频段，主打远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于物联网（IoT）、远程数据采集、工业控制等场景。
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2025-11-4E101SD1CBE
E101SD1CBE
2021-11-16E104-035R
E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
可立即发货
2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本，功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏， 低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5
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