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MGF1601B	MICROWAVE POWER GaAs FET High-power GaAs FET (small signal gain stage) S to X BAND / 0.15W non - matched DESCRIPTION The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
XN1601	Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2) For general amplification ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.	PANASONIC 松下	PANASONIC
LMX1601	PLLatinum??Low Cost Dual Frequency Synthesizer 文件：196.67 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX1601SLB	PLLatinum??Low Cost Dual Frequency Synthesizer 文件：196.67 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX1601TM	PLLatinum??Low Cost Dual Frequency Synthesizer 文件：196.67 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC

E1601PBF供应商更多...

更新时间：2026-5-22 16:54:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	XN1601	PANASONIC/松下	25+	SOT-153	90000	全新原装现货	询价

E220-400M22S 是亿佰特（EBYTE）推出的一款工作于400MHz 频段的 LoRa 无线通信模块，基于 Semtech LoRa 技术设计，聚焦远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于工业物联网、智能农业、智慧城市等场景。
E220-400M22S 亿佰特（EBYTE）
2025-11-4
E22-400T30S 是由亿佰特（EBYTE）推出的一款基于LoRa 扩频技术的无线通信模块，工作于400MHz 频段，主打远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于物联网（IoT）、远程数据采集、工业控制等场景。
E22-400T30S 是亿佰特（EBYTE） 800000PCS
2025-11-4
E101SD1CBE
E101SD1CBE
2021-11-16
E104-035R
E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26
E07040K0A全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述该Edge211是一个双三元司机在制造电压CMOS全过程。它是专为自动测试设备和仪器在成本，功能密度和电源都处于溢价。每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一终止电压或特殊的编程电压。该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏，低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5