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High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
MGF1601B产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGF1601B
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
05+ |
GD10 |
30 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
|||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Mitsubishi |
23+ |
GD-11 |
35 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Mitsubishi |
20+ |
GD-11 |
35 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
GD-10 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
155 |
现货供应 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
GD-10 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
1900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
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Mitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机株式会社
中文资料: 19503条
三菱电机半导体（Mitsubishi Electric Semiconductor）是三菱电机株式会社的一部分，专注于半导体产品的开发和制造。公司成立于20世纪，并在全球范围内提供广泛的半导体解决方案，涵盖功率半导体、模拟和数字集成电路、微控制器和ASIC等产品。三菱电机半导体在电力、汽车、工业、通信以及消费电子等领域发挥着关键作用，致力于不断创新和技术进步，以满足日益增长的市场需求。凭借其强大的技术实力和可靠的产品质量，三菱电机半导体在全球半导体行业中占据重要地位。
