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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Power MOSFET

文件:583.28 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06059 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:893.02 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:420.84 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-6 17:43:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装正品,现货销售

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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