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APT6040	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	ADPOW	ADPOW
APT6040AN	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 15.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-	ISC 无锡固电	ISC
APT6040BN	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
APT6040BN	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS	ADPOW	ADPOW
APT6040BNR	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-10-18 22:59:02

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2023-3-23
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2020-11-26
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2019-11-23
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2019-11-4
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2019-11-4
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DTT6C04A 深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-3-7