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DTP6N120SC

1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Features ⚫ High blocking voltage ⚫ High speed switching with low capacitance ⚫ High operating junction temperature capability ⚫ Very fast and robust intrinsic body diode Applications ⚫ Solar inverters ⚫ UPS ⚫ High voltage DC/DC converters ⚫ Switch mode power supplies

DINTEK

Polar HiPerFET Power MOSFET

Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features ● International Standard Packages ● Dynamic dv/dt Rating ● Avalanche Rated ● Fast Intrinsic Diode ● Low QG ● Low RDS(on) ● Low Drain-to-Tab Capacitance ● Low Package Inductance Advant

IXYS

艾赛斯

THINKISEMI 1000V/1200V/1500V N-Channel Power MOSFETs

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THINKISEMI

思祁半导体

THINKISEMI 1000V/1200V/1500V N-Channel Power MOSFETs

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THINKISEMI

思祁半导体

Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-8-15 17:00:00
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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