位置:首页 > IC中文资料第6156页 > DTA113
DTA113晶体管资料
DTA113T(A,F,L,S,V)别名:DTA113T(A,F,L,S,V)三极管、DTA113T(A,F,L,S,V)晶体管、DTA113T(A,F,L,S,V)晶体三极管
DTA113T(A,F,L,S,V)生产厂家:
DTA113T(A,F,L,S,V)制作材料:Si-P+R
DTA113T(A,F,L,S,V)性质:开关管 (S)
DTA113T(A,F,L,S,V)封装形式:直插封装
DTA113T(A,F,L,S,V)极限工作电压:50V
DTA113T(A,F,L,S,V)最大电流允许值:0.1A
DTA113T(A,F,L,S,V)最大工作频率:<1MHZ或未知
DTA113T(A,F,L,S,V)引脚数:3
DTA113T(A,F,L,S,V)最大耗散功率:0.3W
DTA113T(A,F,L,S,V)放大倍数:
DTA113T(A,F,L,S,V)图片代号:A-68
DTA113T(A,F,L,S,V)vtest:50
DTA113T(A,F,L,S,V)htest:999900
- DTA113T(A,F,L,S,V)atest:.1
DTA113T(A,F,L,S,V)wtest:.3
DTA113T(A,F,L,S,V)代换 DTA113T(A,F,L,S,V)用什么型号代替:
DTA113价格
参考价格:¥0.1234
型号:DTA113TKAT146 品牌:Rohm 备注:这里有DTA113多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,DTA113批发/采购报价,DTA113行情走势销售排行榜,DTA113报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
DTA113 | Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Thebuilt-inbiasresistorallowstheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectinganyexternalinputresistors(seeEquivalentcircuit). 2)Eachbiasresistorisathin-filmresistor.Sincetheyarecompletelyinsulated,theinputcanbepositivelybiased.Theinsulat | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | ||
PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork DigitalTransistors(BRT) R1=1kΩ,R2=1kΩ Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aser | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
PNPDIGITALTRANSISTOR PNPDIGITALTRANSISTOR(BUILT-INBIASRESISTORS) FEATURES *Built-inbiasresistorsthatimplieseasyON/OFFapplications. *Thebiasresistorsarethin-filmresistorswithcompleteisolation toallowpositiveinput. | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
DIGITALTRANSISTOR Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNPDIGITALTRANSISTOR PNPDIGITALTRANSISTOR(BUILT-INBIASRESISTORS) FEATURES *Built-inbiasresistorsthatimplieseasyON/OFFapplications. *Thebiasresistorsarethin-filmresistorswithcompleteisolation toallowpositiveinput. | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
Digitaltransistor(builtinresistor) Digitaltransistor(builtinresistor) | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNPDIGITALTRANSISTOR PNPDIGITALTRANSISTOR(BUILT-INBIASRESISTORS) FEATURES *Built-inbiasresistorsthatimplieseasyON/OFFapplications. *Thebiasresistorsarethin-filmresistorswithcompleteisolation toallowpositiveinput. | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
DIGITALTRANSISTOR Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
DigitalTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1≠R2 ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
DigitalTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1≠R2 ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
DigitalTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1≠R2 ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
DigitalTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1≠R2 ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
DigitalTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1≠R2 ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Thebuilt-inbiasresistorallowstheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectinganyexternalinputresistors(seeEquivalentcircuit). 2)Eachbiasresistorisathin-filmresistor.Sincetheyarecompletelyinsulated,theinputcanbepositivelybiased.Theinsulat | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistor) Features 1)Built-InBiasingResistors, R1=1kΩ,R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesig | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Thebuilt-inbiasresistorallowstheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectinganyexternalinputresistors(seeEquivalentcircuit). 2)Eachbiasresistorisathin-filmresistor.Sincetheyarecompletelyinsulated,theinputcanbepositivelybiased.Theinsulat | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Thebuilt-inbiasresistorallowstheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectinganyexternalinputresistors(seeEquivalentcircuit). 2)Eachbiasresistorisathin-filmresistor.Sincetheyarecompletelyinsulated,theinputcanbepositivelybiased.Theinsulat | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
Digitaltransistors(built-inresistors) Features 1)Thebuilt-inbiasresistorallowstheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectinganyexternalinputresistors(seeEquivalentcircuit). 2)Eachbiasresistorisathin-filmresistor.Sincetheyarecompletelyinsulated,theinputcanbepositivelybiased.Theinsulat | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork 文件:104.96 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT)R1=1k,R2=1k 文件:137.62 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT) 文件:177.03 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT) 文件:177.03 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork 文件:104.96 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork 文件:104.96 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT) 文件:177.03 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT)R1=1k,R2=1k 文件:137.62 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
DigitalTransistors(BRT) 文件:177.03 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork 文件:104.96 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
封装/外壳:SOT-723 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
PNPDIGITALTRANSISTOR 文件:182.58 Kbytes Page:3 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
PNPDIGITALTRANSISTOR 文件:182.58 Kbytes Page:3 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor 文件:1.45491 Mbytes Page:10 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNPDigitalTransistors 文件:452.85 Kbytes Page:3 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 | |||
Epitaxialplanardieconstruction. 文件:478.5 Kbytes Page:6 Pages | BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistor) 文件:1.12485 Mbytes Page:9 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:1.12084 Mbytes Page:4 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor 文件:1.45491 Mbytes Page:10 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:449.8 Kbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:449.8 Kbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistor) 文件:1.05551 Mbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:1.12084 Mbytes Page:4 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor 文件:1.45491 Mbytes Page:10 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:449.8 Kbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:1.12084 Mbytes Page:4 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
NPNDigitalTransistors(Built-inResistors) 文件:134.96 Kbytes Page:3 Pages | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | |||
NPNDigitalTransistors(Built-inResistors) 文件:137.89 Kbytes Page:3 Pages | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistor) 文件:1.10893 Mbytes Page:9 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:1.12084 Mbytes Page:4 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) 文件:449.8 Kbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor 文件:1.45491 Mbytes Page:10 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
PNP-100mA-50VDigitalTransistor(BiasResistorBuilt-inTransistor) 文件:1.06743 Mbytes Page:8 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | |||
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor16(65/34)AWGBareCopper0.059 b)Insulation 0.016Wall,Nom.PVC/0.005Wall NYLON 0.101 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE3 GREEN/YELLOW 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists: | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor16(65/34)AWGBareCopper0.059 b)Insulation 0.016Wall,Nom.PVC/0.005Wall NYLON 0.101 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE3 GREEN/YELLOW 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists: | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
1/4ENCLOSEDPHONEJACKS 文件:94.03 Kbytes Page:5 Pages | SWITCH Switch Publishing Co.,Ltd. | |||
EasyIdentificationandTracingwith10-colorCable 文件:782.9 Kbytes Page:2 Pages | ARIES Aries Electronics,inc | |||
POWERDIVIDERS/COMBINERS 文件:100.79 Kbytes Page:1 Pages | MERRIMAC Merrimac Industries |
DTA113产品属性
- 类型
描述
- 型号
DTA113
- 制造商
ROHM
- 制造商全称
Rohm
- 功能描述
Digital transistors(built-in resistors)
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
23+ |
SOT23 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
ROHM/罗姆 |
21+ |
SOT323 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
onsemi(安森美) |
21+ |
- |
4500 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方 |
|||
ROHM/罗姆 |
2208+ |
SOT-323 |
31254 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ROHM(罗姆) |
22+ |
N/A |
29890 |
全新原装 |
|||
ONSEMI |
2023+ |
8K/reel |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
ROHM |
2023+ |
SOT323-3 |
50000 |
原装现货 |
|||
ROHM |
22+ |
SOT323-3 |
10000 |
原装正品优势现货供应 |
|||
长晶 |
2021 |
SOT-323 |
6000 |
||||
23+ |
N/A |
90250 |
正品授权货源可靠 |
DTA113规格书下载地址
DTA113参数引脚图相关
- fangtek
- f83
- f411
- f4031
- f338
- F330
- f133
- f1212
- ex128
- et600
- ESD
- ep9315
- ep1c3t144c8n
- EMI滤波器
- em35
- EDA
- e251
- d类功放
- d触发器芯片
- d触发器
- DTA124X
- DTA124T
- DTA124G
- DTA124E
- DTA124
- DTA123Y
- DTA123J
- DTA123E
- DTA115U
- DTA115T
- DTA115G
- DTA115E
- DTA115
- DTA114Y
- DTA114W(A,F,L,S,V)
- DTA114W
- DTA114TU(A)
- DTA114TC,TK(A)
- DTA114T(A,F,L,S,V)
- DTA114T
- DTA114GU(A)
- DTA114GE
- DTA114GC,GK(A)
- DTA114G(A,F,L,S,V)
- DTA114G
- DTA114EU(A)
- DTA114EE
- DTA114EC,EK(A)
- DTA114E(A,F,L,S,V)
- DTA114E
- DTA113ZU(A)
- DTA113ZE
- DTA113ZC,ZK(A)
- DTA113Z(A,F,L,S,V)
- DTA113Z
- DTA113TU(A)
- DTA113TE
- DTA113TC,TK(A)
- DTA113T(A,F,L,S,V)
- DTA113T
- DTA10C...G
- DTA08E
- DTA-080
- DTA08
- DTA-070
- DTA05E
- DTA05C
- DTA05B...E
- DTA05B
- DTA05
- DTA044T
- DTA044E
- DTA043Z
- DTA043X
- DTA043T
- DTA043E
- DTA03TB...TG
- DTA024X
- DTA024E
- DTA023Y
- DTA023J
- DTA023E
- DTA015T
- DT800-400
- DT800-350
- DT800-300
- DT74-350
- DT74-300
- DT74-250
- DT709
- DT63-500
- DT63-400
- DT63-300
- DT62-500
- DT62-400
- DT6106
- DT6105
- DT6104
- DT6103
DTA113数据表相关新闻
DT1446-04TS-7
DT1446-04TS-7
2023-4-7DTA123JG-SOT23.3R-TG
DTA123JG-SOT23.3R-TG
2023-2-1DTA143TL-SOT323R-TG
DTA143TL-SOT323R-TG
2023-2-1DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17DT100104安全元件扩展板MIKROE-1032
Microchip的ATECC608A是CryptoAuthTrust平台的扩展板
2019-11-25DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述:该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器,是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程,简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位,8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度,更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹,最小冲和控制输出下降时间,从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点:•
2013-3-5
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80