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DS1225价格

参考价格：￥78.4245

型号：DS1225AB-150+ 品牌：Maxim 备注：这里有DS1225多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DS1225批发/采购报价，DS1225行情走势销售排行榜，DS1225报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DS1225

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225

64k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION\nThe DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, 10 years minimum data retention in the absence of external power\nData is automatically protected during power loss\nDirectly replaces 2k x 8 volatile static RAM or EEPROM\nUnlimited write cycles\nLow-power CMOS\nJEDEC standard 28-pin DIP package\nRead and write access times as fast as 150 ns\nFull ;

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亚德诺

DS1225

Platon Vampire - Electronic Indicator

文件：806.7 Kbytes Page：3 Pages

TTELEC

DS1225AD

64k非易失SRAM

DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以用来直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• JEDEC标准的28引脚DIP封装 \n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1225AD) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1225AB) \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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亚德诺

DS1225Y

64K非易失SRAM

DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 \n• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 \n• 掉电期间数据被自动保护 \n• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM \n• 没有写次数限制 \n• 低功耗CMOS操作 \n• JEDEC标准的28引脚DIP封装 \n• 150ns的读写时间 \n• ±10%工作范围 \n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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亚德诺

DS1225Y

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225Y-150

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225Y-150-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225Y-170-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225Y-200-IND

64K Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occu

DALLAS

DS1225AB

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB

64k Nonvolatile SRAM

文件：210.58 Kbytes Page：9 Pages

MAXIM

美信

DS1225AB_10

64k Nonvolatile SRAM

文件：210.58 Kbytes Page：9 Pages

DALLAS

DS1225AB-150

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-150+

封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：托盘托盘 描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP 集成电路（IC） 存储器

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亚德诺

DS1225AB-150IND

封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） 包装：管件 描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP 集成电路（IC） 存储器

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亚德诺

DS1225AB-150IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-150-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-170

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-170-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-200

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-200-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70+

64k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

DS1225AB-70IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-70IND+

64k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

DS1225AB-85

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AB-85-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD

64k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

DS1225AD

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-150

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-150IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-150-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-170

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-170-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-200

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-200-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-70

64k Nonvolatile SRAM

文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages

DALLAS

DS1225AD-70

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-70+

64k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

DS1225AD-70IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-70IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-70-IND

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

DS1225AD-70IND+

64k Nonvolatile SRAM

文件：210.58 Kbytes Page：9 Pages

MAXIM

美信

DS1225AD-85

64k Nonvolatile SRAM

文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages

DALLAS

DS1225AD-85-IND

64k Nonvolatile SRAM

文件：147.62 Kbytes Page：10 Pages

DALLAS

DS1225Y

64k Nonvolatile SRAM

文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages

MAXIM

美信

DS1225Y

64K Nonvolatile SRAM

文件：283.26 Kbytes Page：7 Pages

ARTSCHIP

DS1225Y-150+

64k Nonvolatile SRAM

文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages

MAXIM

美信

DS1225Y-150-IND

64K Nonvolatile SRAM

文件：283.26 Kbytes Page：7 Pages

ARTSCHIP

DS1225Y-150IND+

64k Nonvolatile SRAM

文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages

MAXIM

美信

DS1225Y-170-IND

64K Nonvolatile SRAM

文件：283.26 Kbytes Page：7 Pages

ARTSCHIP

DS1225Y-200-IND

64K Nonvolatile SRAM

文件：283.26 Kbytes Page：7 Pages

ARTSCHIP

TODV1225

ALTERNISTORS

DESCRIPTION The TODV 625 ---> 1225 use high performance passivated glass alternistor technology. Featuring very high commutation levels and high surge current capability, this family is well adapted to power control on inductive load (motor, transformer...) FEATURES .HIGH COMMUTATION : > 88 A/

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VTT1225

.025 NPN Phototransistors

PRODUCT DESCRIPTION A small area high speed NPN silicon phototransistor mounted in a 5 mm diameter lensed, end looking, transparent plastic package. Detectors in this series have a half power acceptance angle (θ1/2) of 5°. These devices are spectrally and mechanically matched to the VTE12xx serie

PERKINELMER

ADC1225

12-Bit Plus Sign mP Compatible A/D Converters

文件：327.46 Kbytes Page：18 Pages

NSC

国半

ADC1225CCD

12-Bit Plus Sign mP Compatible A/D Converters

文件：327.46 Kbytes Page：18 Pages

NSC

国半

DS1225产品属性

  • 类型

    描述

  • Memory Type：

    NV SRAM

  • Memory Size：

    8K x 8

  • Bus Type：

    Parallel

  • VSUPPLY (min)(V)：

    4.75

  • VSUPPLY (max)(V)：

    5.25

  • RoHS Available：

    See Data Sheet

  • Oper. Temp.(°C)：

    -40 to +85

  • Package/ Pins：

    MOD/28

  • Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2)：

    629.9

  • Budgetary Price (See Notes)：

    $11.09 @1k

DS1225供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
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