| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DRV5032AJ | DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 1 Features • Industry-leading ultra-low power consumption – 5Hz version: 0.54μA – 20Hz versions: 1.3μA – 80Hz version: 5.2μA • Operating VCC range: 1.65V to 5.5V • Operating temperature range: –40°C to +85°C • Magnetic threshold options (maximum BOP): – DG Version: 3.4mT – DU Version: 3.9 | TI 德州仪器 |   | |
DRV5032AJ | DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.72779 Mbytes Page：40 Pages | TI 德州仪器 | | |
丝印代码：1M6W；DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 1 Features • Industry-leading ultra-low power consumption – 5Hz version: 0.54μA – 20Hz versions: 1.3μA – 80Hz version: 5.2μA • Operating VCC range: 1.65V to 5.5V • Operating temperature range: –40°C to +85°C • Magnetic threshold options (maximum BOP): – DG Version: 3.4mT – DU Version: 3.9 | TI 德州仪器 | | ||
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丝印代码：32AJ；DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 1 Features • Industry-leading ultra-low power consumption – 5Hz version: 0.54μA – 20Hz versions: 1.3μA – 80Hz version: 5.2μA • Operating VCC range: 1.65V to 5.5V • Operating temperature range: –40°C to +85°C • Magnetic threshold options (maximum BOP): – DG Version: 3.4mT – DU Version: 3.9 | TI 德州仪器 | | ||
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Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.64706 Mbytes Page：33 Pages | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：1M6W；DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.72779 Mbytes Page：40 Pages | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：2AJ；Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.38603 Mbytes Page：34 Pages | TI 德州仪器 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 功能：全极开关 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3 传感器，变送器 磁性传感器 - 开关（固态） | TI 德州仪器 | | ||
封装/外壳：4-XFDFN 裸露焊盘 功能：全极开关 包装：散装 描述：MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR 4X2SON 传感器，变送器 磁性传感器 - 开关（固态） | TI 德州仪器 | | ||
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Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.64706 Mbytes Page：33 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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1 GHz to 60 GHz, Reflective, Silicon SPDT Switch GENERAL DESCRIPTION The ADRF5032 is a reflective, single-pole double-throw (SPDT) switch manufactured using the silicon process. The ADRF5032 operates from 1 GHz to 60 GHz with insertion loss of lower than 2.0 dB and isolation of higher than 32 dB. The device has a RF input power handling cap | AD 亚德诺 | | ||
1 GHz to 60 GHz, Reflective, Silicon SPDT Switch GENERAL DESCRIPTION The ADRF5032 is a reflective, single-pole double-throw (SPDT) switch manufactured using the silicon process. The ADRF5032 operates from 1 GHz to 60 GHz with insertion loss of lower than 2.0 dB and isolation of higher than 32 dB. The device has a RF input power handling cap | AD 亚德诺 | | ||
1 GHz to 60 GHz, Reflective, Silicon SPDT Switch GENERAL DESCRIPTION The ADRF5032 is a reflective, single-pole double-throw (SPDT) switch manufactured using the silicon process. The ADRF5032 operates from 1 GHz to 60 GHz with insertion loss of lower than 2.0 dB and isolation of higher than 32 dB. The device has a RF input power handling cap | AD 亚德诺 | | ||
18 (16/30) AWG Tinned Copper 文件：411.07 Kbytes Page：4 Pages | ALPHAWIRE | | ||
Quartz SMD, Ceramic 文件：77.21 Kbytes Page：1 Pages | AURIS | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2430+ |
SOT23-3 |
8540 |
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X2SON-4 |
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TI/德州仪器 |
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全新原装现货、诚信经营! |
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TI/德州仪器 |
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X2SON4 |
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TI |
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全新原装公司现货
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2023-4-21DRV5032AJDMRT
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2022-11-2DRV5013ADQDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器
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2020-8-5DRV5032FCDBZR全新原装现货，价格美丽
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2019-5-7
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