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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND MEDIUM POWER AMPLIFIE N-CHANNEL HJ-FET CHIPS DESCRIPTION The NE1280 series is medium power HJ-FET chips which offer high output power and high gain for telecom transmit power amplifier applications to 30 GHz. NE1280100 is one cell die of 450 mm gate width, offering 0.1 W output po | RENESAS 瑞萨 |   | ||
SHIELDED SMD POWER INDUCTOR 文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages | ABC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-2-16DR127-470-R原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-5DR280AKS-REEL-1.2伏的超低功耗高电源抑制比基准电压源
特征 1.2 V的精密输出 卓越的线路调整，2百万分之/ V典型 高电源纹波抑制，-80分贝，在220赫兹 超低功耗，电源电流16A最大 温度系数为40ppm/℃最大 低噪声，12.5纳伏/赫兹典型÷ 工作电压范围为2.4 V至5.5 V 紧凑型3引脚SOT- 23和SC70封装 应用 的GSM，GPRS，3G移动站 便携式电池供电电子产品 低电压转换器参考 无线设备 概述 该ADR280是一
2013-3-24
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