| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) | HOTTECH 合科泰 | |||
丝印代码:9435TFCYWP;SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS | TUOFENG 拓锋半导体 | |||
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件:972.94 Kbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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