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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • 110 mΩ @ VGS = 4.5V • 145 mΩ @ VGS = 2.5V • 230 mΩ @ VGS = 1.8V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 1, 2 and 3) • Qualified to AEC-Q101

DIODES

美台半导体

更新时间:2026-3-16 23:00:01
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