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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO3438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO3438 and AO3438L are eletrically identical. -RoHs Compliant -A

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万国半导体

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 3 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Beaded Ties

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海科

N-Channel Logic Level MOSFET

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AnalogPower

20V N-Channel MOSFET

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万国半导体

更新时间:2025-8-23 11:20:01
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