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DMTH8003STLWQ-13

80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments  100 Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application  High Conversion Efficiency  Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses  Wettable Flank for Improved O

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-18 22:59:00
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DIODES(美台)
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PowerDI33338
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