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SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • 65mΩ @ VGS = -10V • 115mΩ @ VGS = -4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for

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美台半导体

更新时间:2026-3-16 22:58:01
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