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P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance ◾60mΩ@VGS=-4.5V ◾90mΩ@VGS=-2.5V ◾113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •60mΩ@VGS=-4.5V •90mΩ@VGS=-2.5V •113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI
更新时间:2025-5-15 16:59:01
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DIODES
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