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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Not

DIODES

美台半导体

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • DC/DC Converters

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-18 23:01:01
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