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P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •P-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •150mΩ@VGS=-4.5V •200mΩ@VGS=-2.5V •240mΩ@VGS=-1.8V •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)≤1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Not

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

P-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-5-15 17:23:01
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