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DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-12-18 23:01:01
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