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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low RDS(ON) ◾ 72 mΩ @VGS = -4.5V ◾ 108 mΩ @VGS = -2.7V ◾ 123 mΩ @VGS = -2.5V • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Relia

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美台半导体

更新时间:2026-1-4 23:01:01
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