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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Very Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance •

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美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

更新时间:2025-12-28 20:00:01
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