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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th)

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance: RDS(ON) • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2KV • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qu

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

更新时间:2025-12-17 15:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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原封阻容元件
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