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DMN63D1LT-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AE

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-19 16:30:00
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