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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance: RDS(ON) • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Up To 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qu

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

更新时间:2025-12-31 13:01:01
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