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DMN31D6UT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance: RDS(ON)\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;

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美台半导体

DMN31D6UT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

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美台半导体

DMN31D6UT产品属性

  • 类型

    描述

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.35 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.32 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    1500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    2000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.35 nC

  • Packages:

    SOT523

更新时间:2026-5-25 11:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
SOT523
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DIODES/美台全新特价DMN31D6UT-7即刻询购立享优惠#长期有货
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SOT-523-3
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