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DMN1004UFDF-7

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low-Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2

DIODES

美台半导体

更新时间:2026-3-18 23:00:00
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