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DMN1004UFDF-13

12VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •0.6mmProfile–IdealforLow-ProfileApplications •PCBFootprintof4mm2

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-6-12 17:24:00
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DIODES INC.
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Diodes Incorporated
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