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DMG2305UXQ

-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. The uses advanced trench technology DMG2305UXQ General Features VDS = -20V ID =-4.9A RDS(ON)

LEIDITECH

雷卯电子

DMG2305UXQ

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMG2305UXQ

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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Insulated Low Thermal EMF Spade Lug

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POMONA

Pomona Electronics

High Current Toroid Inductors

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High Current Toroid Inductors

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High Current Toroid Inductors Horizontal or vertical mount

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Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-9-30 9:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT23
50000
全新原装正品现货,支持订货

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