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N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPLUSPNPTRANSISTOR

Features •N-ChannelMOSFETandPNPTransistorinOnePackage •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0Vmax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedMOSFETGateupto2kV •TotallyLead-

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPLUSPNPTRANSISTOR

Features •N-ChannelMOSFETandPNPTransistorinOnePackage •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0Vmax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedMOSFETGateupto2kV •Lead,Halogen

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

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更新时间:2024-6-17 22:58:01
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DIODES
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