时间：2021-10-15 15:26:00
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA，310mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27.6pF @ 15V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
DMC2990
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |   | ||
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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