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DM400S12TDRB

1200V/40mΩ SiC Mosfet without Diode

General Description DOSEMI MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle. Features  SiC power MOSFET  Low RDS(on)  Low inductance case avoid oscillations  ROHS Typica

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矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER

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更新时间:2025-8-5 22:58:00
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