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P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance ◾60mΩ@VGS=-4.5V ◾90mΩ@VGS=-2.5V ◾113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •60mΩ@VGS=-4.5V •90mΩ@VGS=-2.5V •113mΩ@VGS=-1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Not

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI
更新时间:2025-7-25 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
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原装正品 假一罚十

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