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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low On-Resistance ◾ 60mΩ @ VGS = -4.5V ◾ 90mΩ @ VGS = -2.5V ◾ 113mΩ @ VGS = -1.8V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Not

DIODES

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low On-Resistance • 60mΩ @ VGS = -4.5V • 90mΩ @ VGS = -2.5V • 113mΩ @ VGS = -1.8V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Not

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

更新时间:2026-3-15 23:30:01
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