| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=17.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
400VN-ChannelMOSFET Features •12.2A,400V,RDS(on)=0.27Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical45nC) •LowCrss(typical30pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：192.67 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
400VN-CHANNELMOSFET 文件：730.64 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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NA/ |
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FAIRCHILD |
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仙童 |
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